Patents
- 이종베이스 도핑소스를 이용한 이종접합 쌍극자 소자 구조
- 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 제조방법
- P형 GaN계 반도체의 낮은 오믹접촉형성을 위한 Epi 구조및 낮은 오믹접촉저항형성을 위한 Epi구조 성장방법
- 고속 전자 이동 트랜지스터의 제조 방법
- 이중 이종접합 쌍극성 트랜지스터
- Ballistic 콜렉터 이중 이종접합 쌍극성 트랜지스터
- 인듐 갈륨 알소나이드 콜렉터 HBT의 에피택시얼 구조
- 초고속 광검출기용 에피택시얼 구조
- 전계효과 트랜지스터의 서브미크론 T형 GATE 형성방법
- 파이형 출력 전송선 구조를 갖는 진행파 증폭기
- 단일집적 E/D 모드 HEMT 및 그 제조방법
- HEMT 구조를 이용한 광검출기
- 유전체 특성이 개선된 InGaAs 산화막의 형성방법
- 균일한 소자특성을 갖는 InP기반 MOSFET용 에피구조물 및 이를 이용한 MOSFET 제조방법
- 저온 성장 화합물 반도체를 이용한 HEMT구조 MSM광검출기 제조방법
- 단일 집적화 된 증가 및 공핍모드 HEMT 소자의 구조 및 제조방법
- 반도체 광증폭기-마하젠더 간섭계를 이용한 전광 주파수 상향 변환
- 광파이퍼 무선 시스템에서의 전광 주파수 상향 변환기 및 전광 주파수 상향 변환 방법
